IGBT（InsulatedGateBipolarTransistor），絕緣層柵雙極型晶體三極管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣層柵型場效管）構成的復合型全控型工作電壓驅動器式輸出功率半導體元器件，兼具MOSFET的高輸入電阻和GTR的低導通壓力降兩層面的優勢。GTR飽和狀態壓減少，載流密度大，但工作電壓很大；MOSFET驅動器輸出功率不大，電源開關速度更快，但通斷壓力降大，載流相對密度小。IGBT綜合性了以上二種元器件的優勢，驅動器輸出功率小而飽和狀態壓減少。

IGBT特別適合運用于交流電壓為600V及以上的變流系統如交流電動機、軟啟動器、電源變壓器、照明燈具電源電路、牽引帶傳動系統等行業。圖1所顯示為一個N斷面加強型絕緣層柵雙極晶體三極管構造，N區稱之為源區，附在其上的電級稱之為源極。N區稱之為漏區。元器件的保護區為柵區，附在其上的電級稱之為柵極。斷面在緊貼柵區界限產生。在漏、源中間的P型區（包含P和P一區）（斷面在該地區產生），稱之為亞斷面區（Subchannelregion）。

而在漏區另一側的P區稱之為漏引入區（Draininjector），它是IGBT獨有的功能分區，與漏區和亞斷面區一起產生PNP雙極晶體三極管，起發射極的功效，向漏極引入空化，開展導電性調配，以減少元器件的通態工作電壓。附在漏引入區上的電級稱之為漏極。IGBT的電源開關功效是根據加順向柵極工作電壓產生斷面，給PNP晶體三極管出示基極電流量，使IGBT通斷。相反，加反方向門極工作電壓清除斷面，斷開基極電流量，使IGBT關閉。IGBT的驅動器方式和MOSFET基本同樣，只需控制鍵入極N一斷面MOSFET，因此具備高輸入電阻特點。當MOSFET的斷面產生后，從P基極引入到N一層的空化（少子），對N一層開展氧化還原電位調配，減少N一層的電阻器，使IGBT在高電壓時，也具備低的通態工作電壓。

igbt控制模塊如何精確測量優劣

檢驗IGBT優劣簡易方式

1、分辨旋光性

最先將數字萬用表撥在TImes;1KΩ擋，用萬用表測量時，若某一極與其他兩方面電阻值為無窮，替換直流電流表后該極與其他兩方面的電阻值仍為無窮，則分辨此極其柵極（G）。其他兩方面再用萬用表測量，若測出電阻值為無窮，替換直流電流表后精確測量電阻值較小。在精確測量電阻值較小的一次中，則分辨紅直流電流表接的為集電結（C）；黑直流電流表接的為發射極（E）。

2、分辨優劣

將數字萬用表撥在R&TImes;10KΩ擋，用黑直流電流表接IGBT的集電結（C），紅直流電流表接IGBT的發射極（E），這時數字萬用表的表針在零位。用手指另外碰觸一下柵極（G）和集電結（C），這時候IGBT被開啟通斷，數字萬用表的表針擺向電阻值較小的方位，并能占住標示在某一部位。隨后再用手指另外碰觸一下柵極（G）和發射極（E），這時候IGBT被阻隔，數字萬用表的表針回零。這時就可以分辨IGBT是好的。

3、一切指南針數字萬用表皆可用以檢驗IGBT

留意分辨IGBT優劣時，一定要將數字萬用表撥在R&TImes;10KΩ擋，因R&TImes;1KΩ擋下列各檔數字萬用表內部電池電壓太低，檢驗優劣時不可以使IGBT通斷，而沒法分辨IGBT的優劣。此方式一樣還可以用以檢驗輸出功率場效晶體三極管（P-MOSFET）的優劣。

igbt控制模塊如何精確測量優劣

逆變電源IGBT控制模塊檢驗：

將數字萬用表撥到二極管檢測檔，檢測IGBT控制模塊c1e1、c2e2中間及其柵極G與e1、e2中間正反面向二極管特性，來分辨IGBT控制模塊是不是完好無損。

以六相控制模塊為例子。將負荷側U、V、W相的輸電線拆卸，應用二極管檢測檔，紅直流電流表接P（集電結c1），黑直流電流表先后測U、V、W，數字萬用表顯示信息標值為較大；將直流電流表相反，黑直流電流表接P，紅直流電流表測U、V、W，數字萬用表顯示信息標值為400上下。再將紅直流電流表接N（發射極e2），黑直流電流表測U、V、W，數字萬用表顯示信息標值為400上下；黑直流電流表接P，紅直流電流表測U、V、W，數字萬用表顯示信息標值為較大。各相中間的正反面向特點應同樣，若出現區別表明IGBT控制模塊特性下降，應予以拆換。IGBT控制模塊毀壞時，僅有穿透短路故障狀況出現。

紅、黑兩直流電流表各自測柵極G與發射極E中間的正反面向特點，數字萬用表2次測定的標值都為較大，這時候可判斷IGBT控制模塊門極一切正常。如果有標值顯示信息，則門極特性下降，此控制模塊應拆換。當正反面向檢測結果為零時，表明所檢驗的一相門極已被穿透短路故障。門極毀壞時線路板維護門極的穩壓極管也將穿透毀壞。